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Elettronica ed Hw. : IBM, 32 nanometri entro settembre
Inviato da Armisael il 18/4/2008 17:00:00 (125 letture) News dello stesso autore
Elettronica ed Hw.

Non molto tempo fa si era parlato delle tecnologie high-k/metal gate di IBM e di come sarebbero state implementate negli stabilimenti di East Fishkill per essere applicate nei processi produttivi a 32 nanometri

L'attesa sembra ormai agli sgoccioli, IBM fa infatti sapere che i primi chip realizzati a 32 nanometri saranno pronti per il terzo trimestre del 2008. A beneficiarne nell'immediato saranno tutti i membri della Common Platform: IBM, Chartered, Freescale, Samsung, Infineon, Toshiba e STM. Stando a quanto dichiarato le tecnologie high-k/metal gate saranno applicate in un secondo tempo anche nei processi produttivi a 28 e 22 nanometri.

Sono stati già effettuati dei test per il processo a 32 nanometri con high-k/metal gate, test che avrebbero individuato degli incrementi prestazionali nell'ordine del 30% ed una riduzione dei consumi di addirittura il 45% rispetto alla precedente tecnologia a 45 nanometri.

Di seguio quanto dichiarato da Gary Patton, vicepresidente della divisione Semiconductor Research and Develompent di IBM:
"Questi primi risultati relativi alle tecnologie high-k/metal gate dimostrano come la collaborazione possa dare luogo alla realizzazione di tecnologie all'avanguardia in grado di sorpassare gli altri avversari".

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